[20a-G204-1~8] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[20a-G204-8] Dependence on Amorphous Silicon Layer in DC EL Devices

〇Shoyo Unji¹, Kunitoshi Yanagihara¹, Noboru Miura¹ (1.Meiji Univ.)

Keywords:EL

直流駆動の電界発光素子は、安定的に発光層に高電界を維持することが難しく、絶縁層を介してキャリヤを発光層に注入するため、素子の破壊につながりやすいという課題がある。本研究では、アモルファス Si 層を電界発光素子に挿入し、I-V特性、L-V特性を測定した。アモルファス Si 層を挿入することで、電流と輝度の立ち上がりが早くなった。また、電流の上昇が緩やかになり、安定的に発光が得られた。