[20a-P3-1~13] 3.11 フォトニック構造・現象

△ [20a-P3-2] 電圧変調型GaN/AlGaNフォトニック結晶熱輻射光源の作製

〇Kang Daniel Dongyeon¹、井上 卓也^1,2、浅野 卓¹、野田 進¹ (1.京大院工、2.K-CONNEX)

キーワード：フォトニック結晶、熱輻射、GaN/AlGaN 量子井戸

高速に強度や波長が制御可能な狭帯域熱輻射光源は、光吸収による物質検出システムの小型・低消費電力化を可能にするデバイスとして期待されている。これまでに我々はGaAs系n型多重量子井戸(MQW)のサブバンド間遷移と2次元フォトニック結晶(2D-PC)の大面積共振モードを組み合わせ、長波赤外線領域において上述の光源を実現している。さらに中波赤外線領域への展開を狙ってGaN系MQW＋2D-PC構造を検討し、ピーク波長4 µmの狭帯域(Q~100)熱輻射光源を実現した。また高速変調の実現に向けてGaN系MQWのサブバンド間吸収の電圧制御の実証も行った。今回、制御機構付きGaN系MQW＋2D-PC構造を作製し、反射スペクトルを室温で測定することで、ピーク波長3.9µmの狭帯域吸収(=輻射率)の電圧制御を確認したので報告する。