[20a-P3-1~13] 3.11 Photonic structures and phenomena

[20a-P3-8] Temperature dependence of Raman silicon nanocavity laser

〇(B)Takamasa Yasuda¹, Yukiko Yamauchi¹, Takashi Asano², Susumu Noda², Yasushi Takahashi¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:silicon raman laser

我々は，高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザを開発してきた．本レーザの発振のためには2つの共振モードの周波数差Δf が，シリコンのラマンシフトに一致することが重要であるため，これらの温度依存性の違いが，レーザの温度特性に影響すると予想される．今回，初期的に，室温付近における20 K程度の範囲で発振特性を測定したので報告する.