[20a-P9-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20a-P9-10] Influence of impulse voltage application on potential-induced degradation in c-Si photovoltaic modules

〇Tetsuya Kaneko¹, Kimsong Suy¹, Yukiko Hara², Atsushi Masuda², Masao Isomura¹ (1.Tokai Univ., 2.AIST)

Keywords:PID, Impulse voltage, c-Si photovoltaic modules

太陽電池モジュールへの電気的な影響があり得る気象条件として落雷が挙げられる。本研究では、PIDを対象に、インパルス電圧印加がもたらす影響について評価した。実験には、p型多結晶Si単セルモジュールを用い、インパルス電圧をフレームとセルの両電極に対して印加した。その後、PID試験を行い、劣化度合いを評価した。実験結果より、セルとフレーム間へのインパルス電圧の印加は、PIDの進行を速めることが分かった。