[20a-P9-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20a-P9-8] Recovery behaviors of n-type c-Si-wafer-based photovoltaic modules
after long-duration potential-induced degradation

〇Yutaka Komatsu¹, Seira Yamaguchi¹, Atsushi Masuda², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:potential-induced degradation, n-type crystalline silicon solar cell, module

n型フロントエミッターc-Si太陽電池モジュールの各段階の電圧誘起劣化後の試料に対して逆バイアスを印加し，回復挙動を調査した．第1の劣化は完全に，第2の劣化はほぼ完全に回復した．第1の劣化は，表面SiN_x膜中に蓄積した正電荷の放出，第2の劣化は，SiN_x膜からの正電荷の放出とともに，pn接合の空乏層に導入されたNaの外方拡散に起因すると考えられる．一方，第3の劣化はわずかにしか回復しなかった．これは，回復試験後もSi内部に残存したNaが再結合中心として働くためと考えられる．