[20a-P9-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-P9-8] n型c-Si太陽電池モジュールの長時間電圧誘起劣化後の回復挙動

〇小松 豊¹、山口 世力¹、増田 淳²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、n型結晶シリコン太陽電池、モジュール

n型フロントエミッターc-Si太陽電池モジュールの各段階の電圧誘起劣化後の試料に対して逆バイアスを印加し，回復挙動を調査した．第1の劣化は完全に，第2の劣化はほぼ完全に回復した．第1の劣化は，表面SiN_x膜中に蓄積した正電荷の放出，第2の劣化は，SiN_x膜からの正電荷の放出とともに，pn接合の空乏層に導入されたNaの外方拡散に起因すると考えられる．一方，第3の劣化はわずかにしか回復しなかった．これは，回復試験後もSi内部に残存したNaが再結合中心として働くためと考えられる．