[20a-P9-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20a-P9-9] Effect of shunt resistance on electroluminescence intensity in potential induced degraded p-type monocrystalline Si photovoltaic module

〇Daisuke Kobayashi¹, Takuya Oshima¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.Nara Inst. of Sci. and Tech.)

Keywords:p-type monocrystalline Si photovoltaic module, potential induced degradation, electroluminescence

本研究では，p型単結晶Si太陽電池モジュールに対して抵抗を直列及び並列に接続することで，PID現象を起こす過程で上昇していくシリーズ抵抗(Rs)と減少していくシャント抵抗(Rsh)を疑似的に再現し，EL発光強度への影響を検討した．