[20p-A304-1~12] 2.2 検出器開発

[20p-A304-2] 酸化物半導体応用による重粒子検出器

〇三好 寿顕^1,2,3、小山 晃広³、大鷹 豊³、島添 健次³、蛭海 元貴^4,5、新田 宗孝^4,5、錦戸 文彦⁵、山谷 泰賀⁵、尾上 孝雄¹、高橋 浩之³ (1.阪大、2.シャープ、3.東大、4.千葉大、5.量研機構放医研)

キーワード：酸化物半導体、重粒子

ガラス上に半導体を製膜する技術を用い，フォトダイオードと酸化物半導体を製膜した検出器を試作した。製膜した酸化物半導体はアモルファスシリコン半導体に比べてオフ時の低リーク特性とオン時の高移動度特性を持つIndium Gallium Zinc Oxide（略：IGZO）半導体とした。また水中線量計を用い，検出器をビーム中に設置することによりビームのBragg Curveにどのような影響がでるかを実験により確認した。