[20p-C102-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20p-C102-8] 無限層構造 (Sr,La)CuO₂ への電界効果キャリアドーピング

長沼 志昌¹、片山 裕美子¹、〇上野 和紀¹ (1.東大総合文化)

キーワード：銅酸化物、電気二重層トランジスタ、電場誘起キャリアドーピング

電子ドープ型銅酸化物高温超電導体である無限層構造Sr_1-xLa_xCuO₂ において電気化学エッチングによる膜厚変化と電場誘起キャリアドーピングの効果について報告する。試料は膜厚 25 nm 以下で、膜厚の減少とともに転移温度が減少した。一方、ゲート電圧の印加で抵抗が減少するとともに転移温度が 0.05 K 程度上昇した。したがって、電子ドープ系ではホールドープ系と比べ、キャリア蓄積が超伝導に及ぼす効果が小さいと考えられる。