[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

〇山末 耕平¹、加藤 俊顕²、金子 俊郎²、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.東北大院工)

キーワード：層状物質、走査型非線形誘電率顕微鏡、遷移金属ダイカルコゲナイド

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いてSiO₂上の剥離数層WSe₂における多数キャリア分布の観察を行った．印加直流バイアス電圧や層数に依存して多数キャリア種ならびにキャリア密度が変化することを示唆する結果を得た．また，界面電荷に起因するとみられるコントラストの経時変化が観察された．