[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-D103-14] NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線照射特性

〇(M2)永野 耕平¹、目黒 達也¹、武山 昭憲²、牧野 高紘²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.QST、3.産総研)

キーワード：半導体、SiC