[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-3] SiC MOSキャパシタにおけるバイアス印加時のV_FB安定性に低温ウェット酸化が与える効果

〇(B)小柳 潤¹、平井 悠久¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：閾値電圧、安定性、MOS