[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-7] SiC MOS反転層における電子散乱機構の実験的評価

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、喜多 浩之²、山川 聡¹ (1.三菱電機、2.東大院工)

キーワード：SiC、反転層、ホール効果測定

従来、SiC MOS反転層における電子散乱機構は解析式およびTCADモデルへのフィッティングにより評価されてきた。本研究では、p型アクセプタ濃度を従来よりも低減し、クーロン散乱の影響を抑制することで、フォノン散乱移動度を明確化することを試み、SiC MOS反転層における電子散乱機構を実験的に評価したので報告する。