2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[20p-D104-1~11] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

2018年3月20日(火) 13:00 〜 16:00 D104 (56-104)

好田 誠(東北大)、ファム ナムハイ(東工大)

15:15 〜 15:30

[20p-D104-9] トポロジカル絶縁体表面での電荷乱れによる高効率熱電変換

千葉 貴裕1、高橋 三郎2 (1.福島高専、2.東北大金研)

キーワード:トポロジカル絶縁体、熱電現象、ゼーベック効果

本研究では電荷乱れを導入したTI表面における熱電効果を理論的に研究した。またバンドの操作を行う目的でTI表面に強磁性絶縁体を接合したモデルを想定した。電荷不純物としてクーロン型の長距離ポテンシャルを導入し、有限温度でのボルツマンの輸送理論によりゼーベック係数およびZTを計算した。その結果、交換相互作用が弱い場合にZTが表面バンドの低エネルギー側で2を超えるような大きな値を取りうることがわかった。