[20p-D104-1~11] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[20p-D104-9] トポロジカル絶縁体表面での電荷乱れによる高効率熱電変換

〇千葉 貴裕¹、高橋 三郎² (1.福島高専、2.東北大金研)

キーワード：トポロジカル絶縁体、熱電現象、ゼーベック効果

本研究では電荷乱れを導入したTI表面における熱電効果を理論的に研究した。またバンドの操作を行う目的でTI表面に強磁性絶縁体を接合したモデルを想定した。電荷不純物としてクーロン型の長距離ポテンシャルを導入し、有限温度でのボルツマンの輸送理論によりゼーベック係数およびZTを計算した。その結果、交換相互作用が弱い場合にZTが表面バンドの低エネルギー側で2を超えるような大きな値を取りうることがわかった。