[20p-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-E201-10] β-(Ga_1-ySc_y)₂O₃ as a novel wide band-gap semiconductor alloy

〇Ryo Wakabayashi¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.MCES)

Keywords:Ga2O3, alloy, Epitaxial growth

四元系混晶半導体β-(Al_xGa_1-x-ySc_y)₂O₃は，その固溶量を制御することでβ-Ga₂O₃への完全格子整合が期待できる．今回我々は四元系混晶半導体薄膜の成長に向け，β-(Ga_1-ySc_y)₂O₃薄膜の成長を行った．得られた薄膜はβ-gallia型構造を有し，またSc組成に応じてバンドギャップが5.01 eV (y ~ 0.2)まで増加することを確認した．