[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-E201-10] 新規ワイドギャップ混晶半導体β-(Ga_1-ySc_y)₂O₃

〇若林 諒¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、混晶、エピタキシャル成長

四元系混晶半導体β-(Al_xGa_1-x-ySc_y)₂O₃は，その固溶量を制御することでβ-Ga₂O₃への完全格子整合が期待できる．今回我々は四元系混晶半導体薄膜の成長に向け，β-(Ga_1-ySc_y)₂O₃薄膜の成長を行った．得られた薄膜はβ-gallia型構造を有し，またSc組成に応じてバンドギャップが5.01 eV (y ~ 0.2)まで増加することを確認した．