[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-E201-2] コヒーレントα-Al₂O₃/Ga₂O₃超格子の作製

〇加藤 勇次¹、井村 将隆²、中山 佳子²、竹口 雅樹²、大島 孝仁¹ (1.佐賀大学、2.NIMS)

キーワード：Ga₂O₃、超格子

全率固溶可能なα-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶系は，バンドギャップ制御範囲が5.3–8.8 eVと広く，ヘテロ構造や超格子を利用した量子エレクトロニクス応用が期待される．本発表では混晶系を構成する母物質のα-Al₂O₃とα‑Ga₂O₃で構成されたα‑Al₂O₃/Ga₂O₃超格子を作製したので報告する．