[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-E201-3] HVPEによるα-Ga₂O₃のGeドーピング

〇大島 祐一¹、河原 克明²、嘉数 誠³、四戸 孝²、人羅 俊実² (1.物材機構、2.FLOSFIA、3.佐賀大院工)

キーワード：酸化ガリウム、HVPE、ドーピング

α-Ga₂O₃のHVPEにおけるGeを用いたn型ドーピング制御について報告する。ドーパント原料としてはGeCl₄を用いた。結晶中のGe濃度はGeCl₄供給量にほぼ比例関係にあり、良好な制御特性を示した。キャリア移動度はn = 2.6x10¹⁹ cm^-3のとき室温で28 cm²/Vsであり、α-Ga₂O₃の値としては非常に良好であった。この結果、8.6 mWcmという低い抵抗率が得られた。