[20p-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-E201-5] Growth mechanism of α-Ga₂O₃ using GaCl₃ by mist CVD method

〇Riena Jinno¹, Nobuhiro Yoshimura², Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ., 2.Kyoto univ.)

Keywords:gallium oxide, Ultra wide-bandgap semiconductor, mist CVD method

α-Ga₂O₃は、5.3 eVのバンドギャップ値を有するUWBG半導体材料の1つであり、パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。α-Ga₂O₃は、熱的に準安定相であり600℃以上で最安定相のβ-Ga₂O₃に相転移し、すると考えられてきたが、ミストCVD法によりGaCl₃原料を用いることで800℃という高温での成長が可能となった。本発表では、ミストCVD法によるGaCl₃原料を用いたα-Ga₂O₃の反応機構および相転移温度の向上について報告する。