[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-E201-8] ミストCVD法によるAlNテンプレート基板上ε-(Al_xGa_1-x)₂O₃の結晶成長

〇田原 大祐¹、西中 浩之¹、森本 尚太¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ半導体、バンドギャップエンジニアリング

酸化ガリウム(Ga₂O₃)半導体は、GaN やSiC を上回る大きなバンドギャップを持ち、次世代の半導体材料として高耐圧デバイス応用が期待されている。本研究室では、GaNやAlNなどと同じ六方晶系の結晶構造を有する準安定相ε-Ga₂O₃ に注目している。本発表では、六方晶系の結晶構造を有するε-(Al_xGa_1-x)₂O₃のAlNテンプレート基板上への結晶成長にミストCVD法を用いて成功したことについて報告する。