[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-E201-9] 常温常圧におけるGa₂O₃:Co微結晶の合成

〇築野 晃¹、渡辺 直樹²、首藤 健一^1,2、向井 剛輝^1,2 (1.横浜国大院工、2.横浜国大理工)

キーワード：酸化ガリウム、ワイドギャップ半導体、ナノ結晶

Ga₂O₃結晶は通常、高温あるいは高圧下で合成される。Ga₂O₃を針状のナノ結晶化することによりP型化するとの研究報告がある。またCoの添加により、Ga₂O₃のバンドギャップが制御できるとの研究報告がある。本研究ではCoを添加したGa₂O₃結晶を常温常圧において合成し、製造されたナノ結晶の基本的な物性を評価した。