[20p-F214-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [20p-F214-8] Transmission electron microscopy study on structures of amorphous GeSn and its structural changes on thermal annealing

〇(M1C)Masashi Higashiyama¹, Toshiki Kimura¹, Manabu Ishimaru¹, Masayuki Okugawa², Ryuusuke Nakamura² (1.Kyushu Institute of Technology, 2.Osaka Prefecture University)

Keywords:semiconductor, GeSn, Transmission electron microscopy

高いキャリア移動度を有するGeSnは、薄膜トランジスタの新規チャネル材料として注目されている。しかしながら、Ge中へのSnの固溶度は約1at%と低いため、過飽和に含まれたSnは熱処理によりGeから排出される。非晶質からの結晶化はGe中に多量のSnを固溶するのに有効であると考えられているが、結晶化過程の詳細は明らかでない。本研究では、非晶質GeSn薄膜の構造および熱処理に伴う構造変化を、透過電子顕微鏡 (TEM)法により調べた。