[20p-F214-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20p-F214-8] 透過電子顕微鏡法による非晶質GeSnの構造と熱処理に伴う構造変化の解析

〇(M1C)東山 将士¹、木村 俊樹¹、石丸 学¹、奥川 将行²、仲村 龍介² (1.九州工業大学、2.大阪府立大学)

キーワード：半導体、GeSn、透過電子顕微鏡

高いキャリア移動度を有するGeSnは、薄膜トランジスタの新規チャネル材料として注目されている。しかしながら、Ge中へのSnの固溶度は約1at%と低いため、過飽和に含まれたSnは熱処理によりGeから排出される。非晶質からの結晶化はGe中に多量のSnを固溶するのに有効であると考えられているが、結晶化過程の詳細は明らかでない。本研究では、非晶質GeSn薄膜の構造および熱処理に伴う構造変化を、透過電子顕微鏡 (TEM)法により調べた。