2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[20p-G203-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2018年3月20日(火) 13:15 〜 15:30 G203 (63-203)

正井 博和(産総研)

14:45 〜 15:00

[20p-G203-6] OH基含有及び酸素欠乏欠陥含有のシリカガラス接合界面付近のOH基拡散

〇(M2)荒川 優1、青木 裕亮1、葛生 伸1、堀越 秀春2、堀井 直宏3 (1.福井大工、2.東ソー・エスジーエム、3.福井高専)

キーワード:シリカガラス、拡散、界面

シリカガラスは表面を平坦に研磨し、接触・加熱することにより接合できる。OH基濃度の異なる2種類のシリカガラスを接合したものを熱処理するとOH基が拡散する。これまで、この方法によるOH基の拡散を研究し、OH基の拡散係数を決定する解析方法が妥当であることが分かった。今回は、OH基を含んだシリカガラスと酸素欠乏欠陥を持ったシリカガラスを接合し、その接合界面でのOH基拡散について発表する。