[20p-P5-1~7] 15.2 II-VI and related compounds

[20p-P5-1] Electronic structure of ZnInON calculated by interacting quasi-band theory

〇Ryota Furuki¹, Masato Oda¹, Yuzo Shinozuka¹ (1.Wakayama.univ)

Keywords:semiconductor

(ZnO)_x(InN)_1-x混晶半導体は安定なWurzite構造をもち、組成比によってバンドギャップを制御できるため励起子発光デバイスなどへの応用が期待されている。本研究では、まだ研究報告例の少ないⅡ-Ⅲ-Ⅴ-Ⅵ族混晶半導体であるこの物質にIQB理論を適用し電子状態を解明することを目的とする。