[20p-P5-1~7] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[20p-P5-1] (ZnO)_x(InN)_1-x混晶半導体の電子状態の理論

〇古木 凌太¹、小田 将人¹、篠塚 雄三¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：半導体

(ZnO)_x(InN)_1-x混晶半導体は安定なWurzite構造をもち、組成比によってバンドギャップを制御できるため励起子発光デバイスなどへの応用が期待されている。本研究では、まだ研究報告例の少ないⅡ-Ⅲ-Ⅴ-Ⅵ族混晶半導体であるこの物質にIQB理論を適用し電子状態を解明することを目的とする。