[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-10] 等方性黒鉛基板へのGaN成長

〇井上 崇¹、桟敷 剛²、細川 敏弘¹、大國 友行¹、岡野 寛² (1.東洋炭素（株）、2.香川高専)

キーワード：窒化ガリウム、等方性黒鉛、ロッキングカーブ測定

等方性黒鉛基板の表面では，黒鉛の六角網面 002面が様々な方向に配向していると考えられる。このような，ランダム配向した六角網面を持つ等方性黒鉛上では，単一の結晶面を持つサファイアとは異なった，特徴的で興味深いGaN試料が得られると考え，GaN膜の成長を試みた。
XRDおよびPL測定でGaN結晶の成長を確認した。当日はロッキングカーブ測定などの結果も示し、等方性黒鉛上のGaNの特長について考察する。