2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月20日(火) 13:30 〜 15:30 P6 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[20p-P6-11] エピタキシャルグラフェン上AlN中間層を用いたGaNのa軸配向性制御

〇石丸 大樹1、寺井 汰至1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、エピタキシャルグラフェン