2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月20日(火) 13:30 〜 15:30 P6 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[20p-P6-12] AlNバッファー層を用いたエピタキシャルグラフェン基板上Si初期成長核配向制御

〇寺井 汰至1、石丸 大樹1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)

キーワード：エピタキシャルグラフェン