[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-26] 高効率光水分解に向けたNiO/Al_xGa_1-xN/n-GaN光陽極構造の検討

小野 真理菜¹、渦巻 裕也²、小野 陽子²、小松 武志²、〇熊倉 一英¹ (1.NTT物性研、2.NTT先デ研)

キーワード：光水分解、窒化物半導体

窒化物半導体は、太陽光を利用した光水分解用陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、高効率・長寿命化に向け、助触媒となるNiOの形成法や反応抵抗に関して評価してきた。今回、光吸収層であるAlGaNの組成を変えた光陽極を作製し、光電流やその安定性、水素・酸素生成量について評価したので報告する。