[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-29] 窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測

〇佐藤 真一郎¹、出来 真斗²、中村 徹³、大島 武¹ (1.量研、2.名大、3.法政大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、結晶欠陥

窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したプラセオジム(Pr)は、固体量子ビットや単一光子源への応用が期待できることから、単一Prからの単一光子発生の観測に向けた最適条件の探索を進めている。今回はイオン注入したPrの活性化率の向上を図るため、最高1200℃までの高温イオン注入を行ったので、その結果について報告する。また、高速熱処理による結晶性の回復や欠陥クラスターの形成について議論する。