[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-3] 準大気圧窒素プラズマ照射p-GaNの分光エリプソメトリによる評価

〇熊谷 直人^1,3、板垣 宏知²、金 載浩³、小木曽 久人²、王 学論^1,3、廣瀬 伸吾²、榊田 創^3,1 (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 AMRI、3.産総研 ESPRIT)

キーワード：窒化物半導体、分光エリプソメトリ、プラズマ照射