[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-P6-5] Optical characteristic of regularly arranged Eu doped GaN nanocolumns

〇(M1)Yuki Natsume¹, Hiroto Sekiguchi¹, Ozaki Kohei¹, Tamai Yoshikazu¹, Yamane Keisuke¹, Okada Hiroshi¹, Kishino Katsumi², Wakahara Akihiro¹ (1.Toyohashi Tech, 2.Sophia Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, rare earth, optical

本研究では、発光デバイス応用に向けた、希土類を添加した窒化物半導体の光学特性評価を行った。従来の薄膜での結晶成長で挙げられた格子不整合などの問題を解決すべく、我々はGaN基板上にTiマスクと呼ばれるナノホールパターンを形成し、領域を選択した結晶成長を行った。成長された微細柱状構造はナノコラムと呼ばれ、PL測定によってナノコラム直径と発光サイトに依存関係があることが示唆された。