[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-5] 規則配列Eu 添加GaN ナノコラムの光学特性評価

〇(M1)夏目 裕貴¹、関口 寛人¹、尾崎 耕平¹、玉井 良和¹、山根 啓輔¹、岡田 浩¹、岸野 克巳²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大、2.上智大)

キーワード：窒化物半導体、希土類、光学

本研究では、発光デバイス応用に向けた、希土類を添加した窒化物半導体の光学特性評価を行った。従来の薄膜での結晶成長で挙げられた格子不整合などの問題を解決すべく、我々はGaN基板上にTiマスクと呼ばれるナノホールパターンを形成し、領域を選択した結晶成長を行った。成長された微細柱状構造はナノコラムと呼ばれ、PL測定によってナノコラム直径と発光サイトに依存関係があることが示唆された。