[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-P6-8] High quality semi-polar (30-3-1) and (20-2-1) GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

〇Hisashi Yamada¹, Hiroshi Chonan¹, Tokio Takahashi¹, Toshikazu Yamada¹, Mitsuaki Shimizu¹ (1.AIST)

Keywords:GaN, semi-polar

現在、極性面であるc面GaN基板上に形成した縦型デバイス実現に向けて、MOVPE法で成長したドリフト層の高純度化（特に低C濃度化）が進められている。将来トレンチ構造など立体構造を有するデバイスを実現する上で、非極性面や半極性面GaNの特性を把握する必要がある。これまで我々は、非極性面のm面やその傾斜基板上にGaNのMOVPE成長を行い、残留不純物、表面構造、そして電気特性について報告してきた。今回、半極性面である 、 GaN基板上GaNのMOVPE成長について報告する。