[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-8] (30-3-1), (20-2-1) GaN基板上のMOVPEエピ高純度化

〇山田 永¹、長南 紘志¹、高橋 言緒¹、山田 寿一¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、半極性

現在、極性面であるc面GaN基板上に形成した縦型デバイス実現に向けて、MOVPE法で成長したドリフト層の高純度化（特に低C濃度化）が進められている。将来トレンチ構造など立体構造を有するデバイスを実現する上で、非極性面や半極性面GaNの特性を把握する必要がある。これまで我々は、非極性面のm面やその傾斜基板上にGaNのMOVPE成長を行い、残留不純物、表面構造、そして電気特性について報告してきた。今回、半極性面である 、 GaN基板上GaNのMOVPE成長について報告する。