[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-P6-9] Evaluation of BGaN crystal phase ratio by MOVPE

〇Kazushi Ebara¹, Ken Mochizuki¹, Yoku Inoue¹, Toru Aoki², Kazunobu Kojima³, Shigefusa Chichibu^3,4, Takayuki Nakano¹ (1.Shizuoka Univ., 2.R.I.E., Shizuoka Univ., 3.IMRAM, Tohoku Univ., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:BGaN, III-V-group nitride crystals, MOVPE

中性子イメージング技術は、金属機器内部の非破壊検査など新たなイメージング技術として期待されている。そこで我々は、大きな中性子捕獲断面積を持つB原子に着目し、BGaNを新たな中性子検出半導体材料として開発を行っている。
BGaN結晶の更なる高品質化のために、本講演では、立方晶相混入度合の成長温度依存性を調べることで、BGaN結晶成長メカニズムについて検討を行ったので報告する。