[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-P6-9] MOVPE法を用いて作製したBGaN結晶相の評価

〇江原 一司¹、望月 健¹、井上 翼¹、青木 徹²、小島 一信³、秩父 重英^3,4、中野 貴之¹ (1.静大院工、2.静大電研、3.東北大多元研、4.名大IMaSS)

キーワード：BGaN、III-V族窒化物結晶、MOVPE法

中性子イメージング技術は、金属機器内部の非破壊検査など新たなイメージング技術として期待されている。そこで我々は、大きな中性子捕獲断面積を持つB原子に着目し、BGaNを新たな中性子検出半導体材料として開発を行っている。
BGaN結晶の更なる高品質化のために、本講演では、立方晶相混入度合の成長温度依存性を調べることで、BGaN結晶成長メカニズムについて検討を行ったので報告する。