一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:30 〜 09:45
〇(M2)小松 遊矢1、清水 亮太1,2、西尾 和記1、宮内 雅浩1、ビルデ マーカス3、福谷 克之3、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大生産研)
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09:45 〜 10:00
〇酒井 貴弘1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
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10:00 〜 10:15
〇齋藤 修平1、木下 健太郎1 (1.東理大理)
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10:15 〜 10:30
〇吉仲 泰萌1、大西 寿仁1、奈良 安雄1 (1.兵庫県立大工)
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10:45 〜 11:00
〇(M1)長命 翔太1、帶刀 理沙1、賈 軍軍2、柏木 誠1、重里 有三1 (1.青学大理工、2.早大国際理工)
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11:00 〜 11:15
〇(M1)Shuxin Zhang1、Takuto Soma1、Tatsuya Yajima1、Akira Ohtomo1,2 (1.Tokyo Tech.、2.MCES)
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11:15 〜 11:30
〇(M2)Jiaxin Chen1、Munetoshi Seki1、Hitoshi Tabata1 (1.Univ. Tokyo)
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11:30 〜 11:45
〇河原 正美1、内田 貴司2、ヴァン ニュ ハイ2、藤城 雄飛2、高橋 静香1、佐村 剛1、立木 隆2 (1.高純度化学研、2.防衛大 電気電子)
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