[18a-B31-1~9] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[18a-B31-1] Photoluminescence mechanism in Si doped GaAsN as a function of Si impurity concentration

〇Takashi Tsukasaki¹, Ren Hiyoshi¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN, photoluminescence, Si doping

GaAs_(1-x)N_x (0 ≦ x ≦ 0.03)は窒素組成([N])の増加にともなってバンドギャップエネルギーが大きく減少する特性をもつため，GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯材料への応用が期待されている。このようなデバイスの実現に向けては，pn接合を構成するSiドープn型GaAsNの基礎物性の解明が不可欠である。現在までに，SiドープGaAsNにおけるSi原子の活性化機構がSi不純物濃度([Si])と[N]の両者に依存することを我々は明らかにした。今回は，SiドープGaAsNにおけるフォトルミネッセンス(PL)の[Si]依存性および測定温度依存性を調べることにより，PL発光過程について考察を行ったので報告を行う。