[18a-C212-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[18a-C212-7] Numerical calculation of dislocation behavior in Si substrate during thermal process

〇Ryohei Sato¹, Toshihiko Takakura², Kazuo Ito², Takuya Saraya², Toshiro Hiramoto², Koichi Kakimoto^1,3, Shin-ichi Nisizawa^1,3 (1.Kyushu Univ., 2.IIS Tokyo Univ., 3.RIAM Kyushu Univ.)

Keywords:semiconductor, thermal process, dislocation

縦型熱処理炉を対象として, 熱負荷工程でのSi基板中の転位挙動の数値解析を行った. 縦型熱処理炉内の熱輸送計算から求めたウェハ内温度分布をもとに, 3次元転位増殖計算を行った. 昇温速度, 降温速度を上げることで, 熱負荷工程後の転位密度が増加することが分かった. また, ウェハ支持方法により転位密度増殖効果が大きく異なることが分かった. いずれも, ウェハ内に発生する温度分布に起因する熱応力, および自重・保持点に起因する機械的応力の大きさ, 分布に対応している.