2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-E303-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2019年9月18日(水) 09:00 〜 12:15 E303 (E303)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、蓮沼 隆(筑波大)

11:45 〜 12:00

[18a-E303-11] 実験室系硬X線光電子分光法による埋もれた界面の化学結合状態評価

西原 達平1、金井 皓輝1、横川 凌1,2、廣沢 一郎3、安野 聡3、大川 登志郎4、小椋 厚志1 (1.明治大学、2.学振特別研究員 DC、3.高輝度光科学研究センター、4.シエンタオミクロン)

キーワード:X線光電子分光法、硬X線、シンクロトロン

近年、注目を集めている硬X線光電子分光法の実験室ベースの装置が開発され、それを用いた測定結果について報告を行う。Au、SiO2/Si構造試料を用いた装置性能の詳細、TiN/Si構造のTiNの膜厚による測定結果への影響について報告する。