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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18a-E304-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月18日(水) 09:30 〜 11:45 E304 (E304)

東清一郎(広島大)、岡田竜弥(琉球大)

10:15 〜 10:30

[18a-E304-4] ガラス基板上のhigh-k絶縁膜を有する4端子低温poly-Si TFTの特性

〇西口尚希¹、原明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、シリコン、高誘電率絶縁膜