10:45 AM - 11:00 AM
[18a-E304-6] Investigation on Characteristic Variation of Thin-Film Transistor Fabricated on Crystalline Silicon Stripe by µCLBS Method
Keywords:Laser annealing, Si, TFT
µCLBS法により得られた結晶Si帯上にスパッタSiO2をゲート絶縁膜に使ったn-TFTを形成し，一本の結晶Si帯上の25個のTFTの特性分布を調べた。結晶Si帯中央での主な結晶粒界は双晶粒界で，両端にはラテラル結晶粒によるランダム粒界が存在した。キャップ膜は使用しなかったために結晶方位は成長しながら0.009 µm-1で回転するランダムな結晶方位を持った結晶Si帯であった。得られたTFTの最大と平均電界効果移動度はそれぞれ430cm2/Vsと248cm2/Vs，標準偏差は93.5cm2/Vsであった。均一性が損なわれた原因は，ランダムな結晶方位と双晶粒界が考えられる。