[18a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18a-E310-4] Optical resonator of AlGaN UV-C laser fabricated by etching process

〇Tadayoshi Sakai¹, Maki Kushimoto¹, Yoshio Honda^2,3, Hiroshi Amano^2,4,5 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.IAR, 4.Akasaki RC, 5.VBL)

Keywords:nitride semiconductor, AlGaN, laser diode

本研究では従来の劈開法と異なり、エッチング法を用いたAlGaNファブリ-ペローレーザーの作製プロセスを提案する。まず初めにドライエッチングにより共振器端面を露出し、TMAHによるAlGaNウェットエッチング処理を行った。その結果、ドライエッチング直後の共振器面と比較して垂直な共振器面の作製が可能となり、光学特性評価よりAlGaNレーザーの発振閾値低減に有効な手法であることが示された。