2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

船戸 充(京大)、齋藤 義樹(TSオプト)

10:00 〜 10:15

[18a-E310-5] [講演奨励賞受賞記念講演] 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用

川瀬 雄太1、池田 隼也1、櫻木 勇介1、安江 信次1、手良村 昌平1、田中 隼也1、荻野 雄矢1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、岩山 章1,3、赤﨑 勇1,2、三宅 秀人3 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.三重大・地域イノベ)

キーワード:AlGaN、レーザ

本報告では、表面平坦性が異なる高温処理されたスパッタAlN膜上に、AlNモル分率60%程度の厚膜のAlGaNを成膜させた結果、成長モードに差異が見られた。また、AlGaNの成長モードの差異はAlN下地層の結晶性が影響していることも確認した。そのAlGaN上に活性層を積層させ、光励起法によりレーザ特性を調査した。3次元成長したAlGaNを用いた試料の閾値励起パワー密度は、2次元成長したAlGaN を用いた試料と比較した場合、1/6程度低く、36 kW/cm2まで低減できた。