The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[18a-E311-1~9] 6.3 Oxide electronics

Wed. Sep 18, 2019 9:00 AM - 11:30 AM E311 (E311)

Yuji Muraoka(Okayama Univ.)

9:15 AM - 9:30 AM

[18a-E311-2] In Situ Manipulation of Magnetic Anisotropy in Fe3O4 Thin Film, Archived with an All-Solid-State Redox Device

〇(D)Wataru Namiki1,2, Takashi Tsuchiya1, Makoto Takayanagi1,2, Tohru Higuchi2, Kazuya Terabe1 (1.NIMS, 2.Tokyo Uni. of Sci.)

Keywords:Redox Device, Magnetic Anisotropy, Solid-State Electrolyte

全固体酸化・還元デバイスを作製し、強磁性体酸化物であるマグネタイトの磁気異方性のその場制御を行った。固体電解質を用いることで、比較的小さい電圧で電気化学的なキャリア注入を起こすことができる。キャリア注入の結果、マグネタイトの磁化容易方向がシフトすることを確認した。