[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-PB3-17] Micro structural characterization of RF-MBE grown InN on high-quality AlN template

〇Tsutomu Araki¹, Hidenori Tachibana¹, Yusuke Takabayashi¹, Anri Fukuda¹, Shinichiro Mouri¹, Yasushi Nanishi¹, Kanako Shojiki², Hideto Miyake^2,3 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Grad. School of Eng., Mie Univ., 3.Grad. School of RIS, Mie Univ.)

Keywords:InN, MBE, TEM

スパッタ・高温アニールによって作成した高品質AlNテンプレート上にRF-MBE法を用いてInN成長を行った。直接成長では、InN/AlN界面から1.3×10¹⁰/cm²の刃状転位が発生していた。一方、GaNバッファを挿入して成長したInNでは、XRD302回折の半値幅が直接成長InNよりも大きく減少していた。この原因をTEM観察によって調べたところ、InN/GaN界面にボイドが発生し、それを起点としたエアブリッジ成長によって刃状転位密度が減少していることがわかった。