[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-22] InGaN/GaN多重量子井戸における表面プラズモン増強の温度依存性

〇村尾 文弥¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：表面プラズモン、InGaN、LED

我々は金属/誘電体界面に発生する表面プラズモン(SP)を利用しInGaN系発光材料の発光速度を速め，発光を大きく増強できることを2004年に実証した．最近ではデバイス応用へ向け，多重量子井戸(QW)構造におけるプラズモンの増強メカニズムについて調べ，多重QWでもバリア層の厚みを調節することでSPの侵入長を越え内部量子効率(IQE)を改善できることを明らかにした．今回はSP増強の温度依存性を調べ，多重QWでのSPによる増強原理について検討した．